Samsung анонсировала энергонезависимую память PRAM

359

Samsung анонсировала на шестом ежегодном форуме Samsung Mobile Solutions Forum в Тайпее начало производства 512-Мбит памяти PRAM (phase change random access memory – память с изменением фазового состояния).Samsung анонсировала на шестом ежегодном форуме Samsung Mobile Solutions Forum в Тайпее начало производства 512-Мбит памяти PRAM (phase change random access memory – память с изменением фазового состояния). Новая технология энергонезависимой памяти, которая обладает высоким быстродействием и малым энергопотреблением, позиционируется как следующее поколение запоминающих устройств для мобильного сектора. Высокая ёмкость и производительность – ключевые факторы для смартфонов, однако повышение этих параметров увеличивает затраты энергии. Поскольку доступ к данным в PRAM требует меньшей поддержки от DRAM, разработка обладает высокой энегроэффективностью. В результате время автономной работы мобильного устройства может быть увеличено более чем на 20%.

Samsung анонсировала энергонезависимую память PRAM

В PRAM информация хранится путём изменения фазового состояния халькогенида (chalcogenide) под воздействием тепла и электрического поля из аморфного в кристаллическое, обладающее низким сопротивлением. Скорость чтения и записи до 30 раз выше по сравнению с NAND, а максимальное количество циклов записи может достигать 100 млн. При температуре 85° данные будут хранится до 300 лет без электропитания. «Мы верим, что PRAM привнесёт существенное усовершенствование в сектор мобильных телефонов, — говорит вице-президент подразделения Memory Division в Samsung Сей-Джин Ким (Sei-Jin Kim). – Мы ожидаем, что она станет одним из ключевых продуктов в будущем». 512-Мбит чип способен стереть 64 тыс. слов (величина, равная 16, 32 или 64 бит) за 80 мс, что в 10 раз быстрее флэш-памяти на основе элементов NOR. PRAM комбинирует быстродействие оперативной памяти и энергонезависимость флэш-технологии.

Ещё на Tele4n.Net:
kickBACK – стильный чехол для iPhone 3G от Scosche

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here